全自动超薄膜检测系统 UT-300
全自动地实现了从1nm的超薄膜到复合多层膜的广泛范围的膜厚检测
概要
UT-300是在使用了堪称光学装置代名词的法国HORIBA JOBIN YVON公司(HORIBA集团)Phase modulation system的UV-visible分光式椭圆偏光仪中融合了HORIBA机电一体化技术的全自动超薄膜检测系统。它可以同时对在半导体制造工艺中以前一直难以进行的复合多层膜¿超薄SiO2膜的膜厚¿ n ¿ k实施统一检测。可彻底追求高速性¿操作性，同时提供可满足现场需求的工艺管理方法 。
特点
●采用了没有机械性振动的PEM元件※，实现了高速¿高精度的检测
HORIBA JOBIN YVON公司的分光式椭圆偏光仪和其他公司的不同，采用了使用PEM元件的相位调制方式。不仅几乎不会受到外光的影响，而且还没有机械性振动，可实现高速¿高精度的检测。
※光弹性¿调制器：光弹性调制元件
●可以检测1nm的超薄膜以及闪存用多层膜
可以对从190nm到830nm(标准：240¿830nm)的短波长到长波长之间广泛范围波长领域的膜厚进行检测¿数据解析。
※使用可选件时
●实现了100ms的高速、并且可以高灵敏度地进行检测
通过使用了光电子倍增管的多波长同时检测装置，实现了高灵敏度、最小检测时间100ms的高速检测。
¿多波长同时检测装置
●也可以适用于最先进需求以及最新的自动化生产线
可以满足DUV曝光反射降低膜等最先进需求。并且不仅可以适用于工场内的LAN以及AGV、SMIF，而且通过可选件的SECG/GEM通信功能，还可以适用于最新的自动化生产线。
●适用于12、8、6英寸的晶片
通过1台装置可以适用于12、8英寸的晶片。另还准备了可适用于6英寸晶片的机型。
●可以进行细微的设定和简易操作
设定模式中可以由工程师进行细微的设定。并且，平常的操作中，实现了几乎不会受到个人的技术¿经验所左右的简易操作模式。
●搭载有可以对复杂的复合多层膜进行全自动解析的软件
搭载了可以对膜厚、组成¿均一性等物质特性以及光的折射率等光学常数进行全自动地检测¿解析的软件。
●通过全自动检测点的判定实现了连续检测
搭载有高精度的图案识别功能。可以通过全自动检测点的判定，实现连续检测。
全自动超薄膜检测系统
UT-300
规格
检测重复度
±0.1 nm以下(使用10 nm的SiO2NIST)
±0.25 nm以下(使用50 nm的SiO2NIST)
±0.25 nm以下(使用100 nm的SiO2NIST)
±0.15 %以下(使用200 nm的SiO2NIST)
检测波长范围
标准规格 248-830 nm
可选规格 190 - 830 nm
光源
Xe 灯
检测等级
晶片尺寸; 标准晶片尺尺寸: 300 mm and 200 mm
可选晶片尺寸: 5 inch, 6 inch
驱动分解能; 小于1 µm
多波长同时检测装置
标准: 16 inch
可选: 32 ch, 64 ch
图案识别
标准
自动对焦
标准
外部通信功能
可选 (SECS2, GEM)
可选 (可适用CIM, AGV)
应用
电源: 标准: AC 200 V ± 10%, 3 KVA, 50/60 Hz ± 1%
可选: AC 208, 220, 230, 240 V
真空
真空: 20 ± 5 Kpa (流量: 根据范围规格)
空气: 0.5 ± 0.05 Mpa (流量: 根据机械规格)
N2: 大约 4 L/min
排气
管直径: 100 nm
流量: 50 m3/hour
UT-300
操作画面/检测结果画面
●Job Set Up(工作设定画面)
通过工程师可以很容易地设定与各晶片孔(在画面中有4个)相关的各种检测方法。
●Cassette Trend Graph(暗盒趋势图表画面)
图表横轴表示1批25块晶片，纵轴表示其膜厚，可以通过蓝线和红线分2步设定膜厚管理值。如果检测结果超过管理值，则显示红色，如果在管理值内，则显示绿色。
●Current Wafer Map View(当前晶片图显示方式画面)
可以彩色显示检测点的结果。
红色：超出膜厚管理值
绿色：膜厚管理值内
●Measuring status(检测状况画面)
可实时地直观显示晶片检测状况。
全自动地实现了从1nm的超薄膜到复合多层膜的广泛范围的膜厚检测
概要
UT-300是在使用了堪称光学装置代名词的法国HORIBA JOBIN YVON公司(HORIBA集团)Phase modulation system的UV-visible分光式椭圆偏光仪中融合了HORIBA机电一体化技术的全自动超薄膜检测系统。它可以同时对在半导体制造工艺中以前一直难以进行的复合多层膜¿超薄SiO2膜的膜厚¿ n ¿ k实施统一检测。可彻底追求高速性¿操作性，同时提供可满足现场需求的工艺管理方法 。
特点
●采用了没有机械性振动的PEM元件※，实现了高速¿高精度的检测
HORIBA JOBIN YVON公司的分光式椭圆偏光仪和其他公司的不同，采用了使用PEM元件的相位调制方式。不仅几乎不会受到外光的影响，而且还没有机械性振动，可实现高速¿高精度的检测。
※光弹性¿调制器：光弹性调制元件
●可以检测1nm的超薄膜以及闪存用多层膜
可以对从190nm到830nm(标准：240¿830nm)的短波长到长波长之间广泛范围波长领域的膜厚进行检测¿数据解析。
※使用可选件时
●实现了100ms的高速、并且可以高灵敏度地进行检测
通过使用了光电子倍增管的多波长同时检测装置，实现了高灵敏度、最小检测时间100ms的高速检测。
¿多波长同时检测装置
●也可以适用于最先进需求以及最新的自动化生产线
可以满足DUV曝光反射降低膜等最先进需求。并且不仅可以适用于工场内的LAN以及AGV、SMIF，而且通过可选件的SECG/GEM通信功能，还可以适用于最新的自动化生产线。
●适用于12、8、6英寸的晶片
通过1台装置可以适用于12、8英寸的晶片。另还准备了可适用于6英寸晶片的机型。
●可以进行细微的设定和简易操作
设定模式中可以由工程师进行细微的设定。并且，平常的操作中，实现了几乎不会受到个人的技术¿经验所左右的简易操作模式。
●搭载有可以对复杂的复合多层膜进行全自动解析的软件
搭载了可以对膜厚、组成¿均一性等物质特性以及光的折射率等光学常数进行全自动地检测¿解析的软件。
●通过全自动检测点的判定实现了连续检测
搭载有高精度的图案识别功能。可以通过全自动检测点的判定，实现连续检测。
全自动超薄膜检测系统
UT-300
规格
检测重复度
±0.1 nm以下(使用10 nm的SiO2NIST)
±0.25 nm以下(使用50 nm的SiO2NIST)
±0.25 nm以下(使用100 nm的SiO2NIST)
±0.15 %以下(使用200 nm的SiO2NIST)
检测波长范围
标准规格 248-830 nm
可选规格 190 - 830 nm
光源
Xe 灯
检测等级
晶片尺寸; 标准晶片尺尺寸: 300 mm and 200 mm
可选晶片尺寸: 5 inch, 6 inch
驱动分解能; 小于1 µm
多波长同时检测装置
标准: 16 inch
可选: 32 ch, 64 ch
图案识别
标准
自动对焦
标准
外部通信功能
可选 (SECS2, GEM)
可选 (可适用CIM, AGV)
应用
电源: 标准: AC 200 V ± 10%, 3 KVA, 50/60 Hz ± 1%
可选: AC 208, 220, 230, 240 V
真空
真空: 20 ± 5 Kpa (流量: 根据范围规格)
空气: 0.5 ± 0.05 Mpa (流量: 根据机械规格)
N2: 大约 4 L/min
排气
管直径: 100 nm
流量: 50 m3/hour
UT-300
操作画面/检测结果画面
●Job Set Up(工作设定画面)
通过工程师可以很容易地设定与各晶片孔(在画面中有4个)相关的各种检测方法。
●Cassette Trend Graph(暗盒趋势图表画面)
图表横轴表示1批25块晶片，纵轴表示其膜厚，可以通过蓝线和红线分2步设定膜厚管理值。如果检测结果超过管理值，则显示红色，如果在管理值内，则显示绿色。
●Current Wafer Map View(当前晶片图显示方式画面)
可以彩色显示检测点的结果。
红色：超出膜厚管理值
绿色：膜厚管理值内
●Measuring status(检测状况画面)
可实时地直观显示晶片检测状况。
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